Irradiacao de electroes MeV de Si heteroestruturas

Foi estudada a geração de defeitos de irradiação por irradiação electrónica MeV de alta energia de estrutura Si-SiO2 do tipo n e p com diferentes tipos de óxidos. As alterações morfológicas do óxido de SiO2 durante a irradiação dos electrões do MeV foram observadas pela AFM. As estruturas de Si+ iões implantadas de Si-SiO2 antes e depois da irradiação dos electrões MeV são apresentadas. A redistribuição dos átomos de oxigénio e silício e a geração de nanocristais de Si durante a irradiação dos electrões MeV foi observada pelas técnicas RBS/C e AFM, respectivamente. As propriedades ópticas, a fotoluminescência e os estudos espectroscópicos das películas de SiOx irradiadas com electrões MeV são também realizados.